场效应管和可控硅驱动电路是有本质上的差异，首要场效应管一般分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管，可控硅一般分为单向可控硅和双向可控硅（可控硅也叫晶闸管，可分单向晶闸管和双向晶闸管），其间绝缘栅型场效应管也叫MOS管（有一种场效应管、三极管混合的器件叫IGBT俗称门控管，该器件的驱动电路与场效应管的驱动电路几乎相同），这种驱动归于电压驱动，在大多运用在功率输出、电力转换等场合，央求最佳选用PWM（脉宽调制）信号来控制，其输入到栅极的方波上升沿央求陡峭（也称图腾柱输出），而且要有必定的瞬态驱动才华（由于场效应管的栅极等效一个电容，当驱动信号的瞬态功率不可时，其正本的波形将被改动，一般等效为一个积分器），央求导通时，其栅极电压要有关于源极高10-20V支配，典型值15V，而关断时为了承认和确保场效应管关断可靠，该电压此时应当为-15V，在实习运用中为了减小场效应管的功耗过大或防止其损坏一般要加如过流保护和有关吸收电路，而且尽量做参加效应管的作业频率与负载的谐振频率相同，典型运用便是电磁炉，流过炉盘（加热线圈）的电流与流过吸收电容的电流各自虽然都很大，但相位不一样，互相抵消，经叠加后的总电流较小，即流过场效应管（实惯用IGBT）的电流较小。下图为场效应管的典型驱动电路：
而可控硅属电流驱动，由于他等效于两个三极管构成正反应拓宽，当有一个触发信号后，由于健旺的正反应作用，使之一导游通，当栅极电压高于阳极电压或许阳极、阴极电压差小于必定数值时正反应才会失效，即可控硅被复位，一般情况下，其栅极电压不会高于阳极，所以可控硅归于不可关断的半控器件，当触发导通时无法经过栅极关断，而场效应管属全控器件能够经过栅极关断。下图为可控硅结构及其典型驱动电路：
