（原标题：捷捷微电请求双向可控硅芯片专利，提高了散热作用和产品的di/dt值）
金融界2023年12月7日音讯，据国家知识产权局公告，江苏捷捷微电子股份有限公司请求一项名为“一种门极和阳极共面的双向可控硅芯片及其制作办法“，公开号CN117174747A，请求日期为2023年11月。
专利摘要显现，本发明提出了一种门极和阳极共面的双向可控硅芯片及其制作办法，其经过把门极和阳极规划在同一侧，阴极规划在另一侧，使得阴极和底板能够焊接在一起，提高了散热作用和产品的di/dt值，而且使用时多只可控硅可共用同一个散热片，增加了终端厂家的使用空间，所述芯片包含从上至下设置的磷区N、硼铝区P、磷区N，所述硼铝区P内部设置有单晶资料区N，其特征是：所述芯片的门极和阳极设置在上外表，阴极设置鄙人外表，在所述门极和阳极同一侧的硼铝区P上制有深度超越PN结深度的台面沟槽钝化层，所述门极设置在沟槽外侧，所述阳极设置在沟槽内侧。
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